阻變存儲器的發展阻變存儲器利用材料在電信號的激勵下出現不同的電阻狀態來進行數據存儲。阻變存儲器的結構一般為金屬-絕緣層-金屬的三明治結構,兩層金屬被用作上下電極。當在上下電極之間加上合適的電信號時,中間絕緣層的阻值可以發生可控的變化。已經發現有許多的材料都可以被用作阻變層,比如PCMO復雜氧化物、三元鈣鈦礦氧化物、有機材料、固態電解質材料還有二元金屬纏繞墊氧化物。其中二元金屬纏繞墊氧化物材料由于具有組份簡單、易于生長控制、與CMOS工藝兼容等優點成為最受歡迎的材料。國外相關專利申請情況首先提出了關于二元金屬纏繞墊氧化物的專利申請,其闡述了利用二元金屬纏繞墊氧化金屬電阻值能夠依照施加在其上的電壓的變化而實現可逆的轉換,從而達到數據的讀寫操作,申請提出將二元金屬纏繞墊氧化物阻變存儲器結合于晶體管上,進一步完善了阻變存儲器的結構,使得其更趨向于工業化。阻變式存儲器 是以材料的電阻在外加電場作用下可在高阻和低阻態之間實現可逆轉換為基礎的一類前瞻性下一代非揮發存儲器。其存儲材料層以二元金屬纏繞墊氧化物最具有顯著優勢。它組分簡單,工藝上同于控制,并且和CMOS工藝具有良好的兼容性。www.ipblmg.com |